报告
氮化镓器件技术应用现状及趋势
摘要
氮化镓（GaN）材料是宽禁带材料的一种，适于制造高频大功率、耐高温、抗辐射半导体微电子器件等，在军民两用领域均有巨大的应用前景。经过自21世纪以来美国等国家的持续推动，GaN器件和工艺技术快速成熟，产品大量上市，并已用于多个在研武器中。GaN器件已在性能、尺寸、可靠性和成本间取得平衡，并开始逐步替代市场上成熟的砷化镓（GaAs）和硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，市场前景极其广阔。
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报告目录
- 一 概述
-
二 技术发展现状
- （一）性能提升
- 1.提高性能方面
- 2.提高集成度方面
- （二）工艺能力提升
- （一）性能提升
-
三 产品发展现状
- （一）GaN功率器件
- （二）GaN功率放大器
- （三）抗辐射GaN器件
-
四 应用发展现状
- （一）应用场景分类
- （二）主要应用领域
-
五 产业发展现状
- （一）市场
- （二）企业
- 六 发展趋势
报告图片/图表
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